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고전압에도 잘 견디는 전력 반도체 트랜지스터 '모스펫(MOSFET)' 개발
고전압에도 잘 견디는 전력 반도체 트랜지스터 '모스펫(MOSFET)' 개발
  • 이고운 기자
  • 승인 2019.05.26 10:50
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ETRI 연구진이 공정이 완료된 산화갈륨 전력반도체 온-웨이퍼 측정 모습

한국전자통신연구원이 산화갈륨(Ga2O3)을 이용해 2300볼트(V) 고전압에도 잘 견디는 전력 반도체 트랜지스터를 처음으로 개발했다.

우리의 일상생활에서 노트북을 사용할 때 어댑터를 사용하는데, 이는 220V의 전기다 들어오지만 노트북 내 부품들은 전압을 견디기 어려워 어댑터로 전압을 낮춰 주는 역할을 한다. 노트북 뿐만 아니라 에어컨, 냉장고, 진공청소기처럼 전력 소모가 많은 제품들은 높은 전압이 필요하므로 산화갈륨과 같은 전력변환 효율이 좋은 소재를 쓴다면 기기 동작 시 뜨겁게 달아오르지도 않고 전력에너지 낭비가 덜되어 에너지가 절감된다는 것이다.

일명 '모스펫(MOSFET)'이라고 불리는 이 기술은 기존 전력반도체소자가 실리콘(Si), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 위에 소자설계 후 패턴작업과 식각, 증착공정을 거쳐 트랜지스터를 만드는 대신 산화갈륨을 이용한다는 차별점이 있다.

산화갈륨은 기존 반도체 소재들보다 에너지 밴드 갭이 넓어 고온-고전압에서도 반도체 성질을 유지하고 칩 소형화와 고효율화가 가능하다. 또한 용액에서 고품질 대면적 웨이퍼로 만들기도 쉬워 저비용으로 대형 고전력 소자 제작이 가능해 차세대 전력반도체 소자로 부상 중이다. 

하지만 밴드 갭이 넓은 물질은 전기 전도도가 떨어진다는 단점이 있어 연구진은 높은 전압에도 반도체 성질을 잃지 않고 동작 되도록 만들어 전류가 잘 흐르게 되는 전력반도체칩을 제작하는 것이 가장 큰 어려움이었다고 전했다.

ETRI 연구진은 난제 해결을 위해 전자가 지나가는 최적의 길인 ▲채널 및 전극 디자인 ▲반절연체 기판의 사용 ▲공정 및 소자구조 설계기술 채택 등을 통해 처음으로 2000V의 벽을 넘는데 성공, 기존 최고 전압 수준 대비 최소 25% 높은 2320V 산화갈륨 전력반도체 소자기술을 개발했다.

이로써 기존 미국 버팔로대학 1,850V급 전력소자 대비, 동작되는 저항을 50%로 낮췄고, 항복전압도 25% 높이는 산화갈륨 트랜지스터를 구현했다.  

개발에 성공한 산화갈륨 전력반도체 소자의 크기는 0.2㎜ x 0.4㎜ 수준이만 연구팀은 향후 칩을 대형화하기 위해 패키징을 할 경우 현재, 표준 크기가 1.5㎝ x 1.5㎝ 내외인데 전용 패키지를 만들어 더 작게 만들 계획이며, 칩 크기는 현재 상용제품 대비 30~50% 작게 만들 수 있어 동일한 웨이퍼 대비해 칩 생산을 2~3배 더 가능하다고도 말했다.

또한 향후 본 기술은 대면적 소자에 동일하게 적용할 수 있어 초고압직류송전(HVDC) 변환설비나 태양광, 풍력발전을 비롯한 신재생 에너지 산업에 많은 활용이 기대된다. 또한 전기차·수소차·자율주행차와 같은 차세대 자동차는 물론, 냉장고·세탁기·에어컨 등 가전제품과 같이 다양한 산업에서도 활용이 가능해 시장전망이 아주 좋다.

ETRI RF/전력부품연구그룹 문재경 박사는 “앞으로 세계 최초로 산화갈륨 전력반도체의 상용화를 목표로 고전압·대전류용 대면적 소자 기술개발 연구를 추가적으로 진행할 예정이다”고 향후 계획을 밝혔다.

연구진은 본 기술의 상용화를 5년 내로 보고 있으며 이번에 개발한 트랜지스터의 구조, 소자설계, 제조공정기술 등에 대해 전력반도체칩 생산회사와 전력변환모듈 생산업체 등에 기술이전 할 계획이다.

 

이고운 기자 lgw@hmgp.co.kr

 


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